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德国易福门一手货源IFM德国进口压力传感器
易福门压力传感器系列PK为*代紧凑型的电子压力传感器,它调节简单,使用寿命长。该产品具有强的抗压力峰值及耐腐蚀性介质的特性。
简单的操作程序
它的优点为操作简单: 径向的定位环附有清晰可读的单位刻度盘,这样即使没有系统压力存在,用户也可以快速精确地对开关点和复原点进行调节。通过机械的锁紧装置可以避免不必要的调节。两个清晰可见的LED作为开关和运行显示,便于检测。
广泛的应用
耐用的传感器几乎可应用于所有的工业、移动车辆和工程机械领域。它们不仅可满足标准的液压和气动的应用要求,也可满足气体压力至400bar或空调和制冷技术的应用要求。耐用的不锈钢探测片确保长的使用寿命以及超过5千万次压力循环的毫无磨损的工作运行。
PK6524 - 测量范围0...10 bar,防护等级IP67,管路连接G1/4 A
PK6522 - 测量范围0...100 bar,防护等级IP67,管路连接G1/4 A
PK6520 - 测量范围0...400 bar,防护等级IP67,管路连接G1/4 A
IFM磁阻传感器,同理,是利用磁阻效应制成的。1857年,Thomson发现了各向异性磁阻效应。
各向异性磁阻效应(即AMR)是指,当外部磁场与磁体内建磁场方向成零度角时,电阻不随外加磁场变化而改变;但当外部磁场与磁体的内建磁场有角度的时候,磁体内部磁化矢量偏移,薄膜电阻降低的一种现象。
AMR在感测地磁场范围内的弱磁场测量方面见长,常被制成转速传感器、接近开关、隔离开关。以及导航系统中的罗盘,计算机的磁盘驱动器,各种磁卡机、旋转位置传感、钻井定向等。
巨磁阻效应,是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时比在无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻产生于层状的磁性薄膜结构,这种结构由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时,载流子与自旋有关的散射最小,材料的电阻也最小。当铁磁层的磁矩为反平行时,与自旋有关的散射强,此时材料的电阻最大。
基于巨磁阻效应研发出了极度灵敏的磁头,可以清晰读出较弱的磁信号并转换成清晰的电流变化,而这种磁头的出现引发了硬盘的"大容量、小型化"革命。同时巨磁电阻还可用于MRAM、角度或位置传感器、电流传感器、生物检测以及军事领域等方面。
TMR元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器,其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,比AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。
目前,AMR传感器早已大规模应用,GMR传感器正快速发展。TMR传感技术最开始是应用于硬盘驱动器读出磁头,大幅提高了硬盘驱动器的记录密度。TMR集AMR的高灵敏度和GMR的宽动态范围于一体,因而在各类磁传感器技术中,TMR磁性传感器具有的技术优势。因此,TMR传感器可广泛应用于工业控制、金融器具、生物医疗、消费电子、汽车领域等方面。
磁性传感器在汽车中的应用主要是车速、倾角、角度、距离、接近、位置等参数检测,以及导航、定位等方面的应用。在节能降耗中,尤其是目前减少点滴碳排放或其它污染物的情况下,马达会成为重中之重,马达将从存在摩擦力的“一刻不停"的滑轮系统向电子马达转变,后者可以按需控制。并且,电子马达会向效率更高和更加可靠的有刷DC马达转变,磁性传感器的作用就体现在让马达控制或换向更加精确。
德国易福门一手货源IFM德国进口压力传感器
*德国易福门IFM产品
OR0017 ORT-V/4M
OR0018 ORS-V/6M
OS0023 OSE-FBOA
OS0024 OSS-OOOA
OS0025 OSR-FBOA
OS0026 OST-FBOA
OS0030 OSR-FBOA/T
OS0031 OST-FBOA/T
OS0032 OSN-FBOA
OS0033 OSP-FBOA
OS0034 OSP-FBOA/T
OS0046 OSP-FBOA
OS5013 OSE-FPKG
OS5015 OSS-OOKG
OS5016 OSR-FPKG
OS5018 OST-FPKG
OS5022 OSE-FPKG/T
OS5025 OSR-FPKG/T
OS5027 OST-FPKG/T
OS5029 OSN-FPKG
OS5031 OSP-FPKG
OS5032 OSP-FPKG/T
OS5044 OSP-FPKG/US-100-KPF
OS5045 OSN-FPKG
OT5001 OTT-FPKG
OT5002 OTT-FNKG
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