一、介质损耗试验概述：
任何绝缘材料在电压作用下，总会流过一定的电流，所以都有能量损耗，把在电压作用下电介质产生的一切损耗称为介质损耗。 由于直流电压下电介质中的损耗主要是漏导损耗，用绝缘电阻或漏导电流就足以充分表示了，所以在交流电压下引入介质损耗，它表示在交流电压作用下有功电流和无功电流的比值。介质损耗只与材料特性有关，而与材料尺寸、体积无关的物理量。
二、试验仪器的选择及试验方法：
2.1试验时使用的仪器
自动介损测试仪、QS1型西林电桥
2.2试验方法
2.2.1 QS1型西林电桥
2.2.1.1技术特性
QS1型电桥的额定工作电压为10kV，tgδ测量范围是0.5％～60％，试品电容Cx是30pF～0.4μF（当CN为50pF时）。 该电桥的测量误差是：tgδ=0.5％～3％时，绝对误差不大于±0.3％；tgδ=3％一60％时，相对误差不大于±10％。被试品电容量CX的测量误差不大于±5％。如果工作电压高于10kV，通常只能采用正接线法并配用相应电压的标准电容器。 电桥也可降低电压使用，但灵敏度下降，这时为了保持灵敏度，可相应增加CN的电容量（例如并联或更换标准电容器）。 2.2.1.2接线方式1.正接线法。所谓正接线就是正常接线，如图一，在正接线时，桥体处于低压，操作安全方便。 因不受被试品对地寄生电容的影响，测量准确。但这时要求被试品两极均能对地绝缘（如电容式套管、耦合电容器等），由于现场设备外壳几乎都是固定接地的，故正接线的采用受到了一定限制。
2.反接线法：
反接线适用于被试品一极接地的情况，故在现场应用较广。这时的高、低电压端恰与正接线相反，因而称为反接线。在反接线时，电桥体内各桥臂及部件处于高电位。 所以在面板上的各种操作都是通过绝缘柱传动的。此时，被试品高压电极连同引线的对地寄生电容将与被试品电容Cx并联而造成测量误差，尤其是Cx值较小时更为显著。 当被试品一极接地而电桥又没有足够绝缘强度进行反接线测量时，可采用对角接线，在对角接线时，由于试验变压器高压绕组引出线回路与设备对地（包括对低压绕组）的全部寄生电容均与Cx并联，给测量结果带来很大误差。 因此要进行两次测量，一次不接被试品，另一次接被试品，然后按式（3-1）计算，以减去寄生电容的影响。tgδ=（C2 tgδ2-C1 tgδ1）/（C2-C1） （3-1）
CX=（C2-C1） （3-2）
式中 tgδ1——未接人被试品时的测得值；
tgδ2——接人被试品后的测得值；
C1——未接人被试品时测得的电容；
C2——接人被试品后测得的电容。 这种接线只有在被试品电容远大于寄生电容时才宜采用。用QSI型电桥作对角线测量时，还需将电桥后背板引线插头座拆开，将D点的输出线屏蔽与接地线断开，以免E点与地接通将R3短路。 此外，在电桥内装有一套低压电源和标准电容器，供低压测量用，通常用来测量压（100V）大容量电容器的特性。当标准电容CN=0.001μF时，试品电容 Cx的范围是300pF～10μF；当CN=0.01μF时，CX的范围是3000pF～100μF。tgδ的测量精度与高压测量法相同，Cx的误差应不大于±5％。 数字式介损测量仪的基本原理为矢量电压法。数字式介损型测量仪为一体化设计结构，内置高压试验电源和BR26型标准电容器，能够自动测量电气设备的电容量及介质损耗等参数，并具备先进的于扰自动抑制功能，即使在强烈电磁干扰环境下也能进行精确测量。 电通过软件设置，能自动施加 10、5kV或2kV测试电压，并具有完善的安全防护措施。能由外接调压器供电，可实现试验电压在l～10kV范围内的任意调节。当现场干扰特别严重时，可配置45～60HZ异频调压电源，使其能在强电场干扰下准确测量。 数字式自动介损测量仪为一体化设计结构，使用时把试验电源输出端用专用高压双屏蔽电缆 滞插头及接线挂钩）与试品的高电位端相连、把测量输人端（分为“不接地试品" 和“接地试品"两个输入端）用专用低压屏蔽电缆与试品的低电位端相连，即可实现对不接地试品或接地试品（以及具有保护的接地试品）的电容量及介质损耗值进行测量。 测量时根据试品的接地状况选择正接线。在有干扰时应设法排除以保证测量结果的可靠性，试验前应将设备的表面清理干净。
（1）tgδ值于历年的数值比较不应有显著变化（一般不大于30%）
（2）试验电压如下：
绕组电压10kV及以上 10kV
绕组电压10kV以下 Un
1测量按试验时使用的仪器的有关操作要求进行。
2应采取适当的措施消除电场及磁场干扰，如屏蔽法、倒相法、 移相法。
3非被试绕组应接地或屏蔽。
4尽量使每次测量的温度相近。
